透过现象看本质：国产芯片，究竟该往哪突破？真不只是2nm

在大家的认知中，芯片行不行，先进不先进，就看工艺了。比如5nm肯定比7nm强，2nm比3nm强，3nm比5nm强，一看数字就小一些。

所以高通之前就表示称，它们（指台积电）喜欢把工艺数字搞的小一些，但其实这已经只是营销游戏了。

事实上也确实如此，现在的XX纳米工艺，实际上和芯片真正的线宽，关系并不是那么大了，并不像以前，XX纳米，指的就是芯片中栅极宽度是XX纳米，现在的XX纳米，更多的是等效工艺。

也基于这个前提，所以目前中国芯的突破方向，也绝不是追着台积电、三星在后面跑，他们搞3nm，我们也搞3nm，他们搞2nm，我们也要搞2nm。

这种思想，其实是没有看透芯片工艺进步的本质，我们应该透过现象去看本质，就会发现芯片工艺前进，真不是盯着2nm。

芯片性能的提升，真正原因是什么？其实是晶体管的多少。

工艺的提升，其实只有一个目的，那就是在单位面积/体积内，塞进更多的晶体管。所以我们看到5nm、3nm、2nm等，一代一代工艺提升后的最终结果，是晶体管密度提升了。

那么同样的体积/面积下，晶体管多了，芯片性能就强了，这就是本质。

那么基于这个逻辑，我们也可以换一个思路，那就是只要单位面积/体积内，晶体管的密度提升了，那么就行了。

就像NAND闪存芯片一样，因为芯片工艺不能太先进，基本不能小于15nm，因为一旦低于15nm了，太先进了不稳定。

于是NAND闪存芯片，工艺的提升，是靠多层堆叠，64层，128层，256层，300+层等等，其实就是一个意思。

在芯片上，也一样，可以通过改进晶体管结构，让同样面积内，晶体管更多。可以通过先进封装技术，进行多层堆叠，让晶体管密度更高。

可以改进芯片材料，让晶体管更小，这样晶体管的密度也会更高，晶体管变多，那么性能也就提升了。

可见，提高芯片工艺只是个过程，最终结果还是看晶体管密度，我们找到这个本质那就可以通过其它更多的办法，来提高密度，而不是只盯着2nm，3nm这些工艺去。

事实上，目前国内也在寻找这些新的办法，比如采用新的3D结构，比如采用小芯片技术，采用芯片堆叠技术等，通过这个技术，哪怕工艺保持不变，一样可以实现2nm、3nm的性能。

所以大家别动不动就说什么国内芯片工艺，追不上台积电、三星的3nm、2nm，工艺的提升这只是众多芯片前进道路中的一种，其它的道路一样是可行的。

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